Login for students

Login for employees

Publication detail

Native crystal growth in 60 nm Sb2S3 amorphous film: A joint microscopy-calorimetry study
Year: 2025
Type of publication: článek v odborném periodiku
Name of source: Journal of Chemical Physics
Publisher name: American Institute of Physics
Place: Melville
Page from-to: 104502
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Růst nativních krystalů v 60 nm amorfním filmu Sb2S3: Simultánní mikroskopie a kalorimetrie Simultánní měření růstu krystalů pomocí přímé mikroskopie a kalorimetrie byla provedena pro 60 nm amorfní film Sb2S3 nanesený buď na kaptonovou fólii, nebo na sodnovápenaté sklo. Kalorimetrická krystalizace probíhala ve dvou krocích, které pocházely buď z mechanických a pnutím indukovaných defektů (230-275 °C), nebo z homogenně vytvořených jader (255-310 °C); oba procesy vykazovaly shodnou aktivační energii 200 kJ mol(-1). Při teplotách <230 °C se podél romboedrické struktury Sb2S3 vytvořila krystalická fáze Sb2O3. Pro popis mikroskopických dat rychlosti růstu krystalů byl použit model normálního růstu s aktivační energií podobnou 250 kJ mol(-1) a oddělení viskozity a difuzivity bylo charakterizováno Edigerovým parametrem xi v rozmezí 0,40 až 0,55. Rychlost růstu krystalů byla mírně vyšší u filmu naneseného na skleněný substrát, přičemž tlakové napětí zavedené při vyšších teplotách T mělo pouze malý vliv. fázová změna; tenký film; kinetika; krystalizace; nukleace
eng Native crystal growth in 60 nm Sb2S3 amorphous film: A joint microscopy-calorimetry study Joint direct microscopy-calorimetry measurements of crystal growth were performed for a 60 nm amorphous Sb2S3 film deposited either on a Kapton foil or on a soda-lime glass. Calorimetric crystallization proceeded in two steps, originating either from mechanical and stress-induced defects (230-275 degrees C) or from homogeneously formed nuclei (255-310 degrees C); both processes exhibited an identical activation energy of 200 kJ mol(-1). At temperatures <230 degrees C, a Sb2O3 crystalline phase formed along the rhombohedral Sb2S3 structure. The normal growth model with the activation energy of similar to 250 kJ mol(-1) was used to describe the microscopic crystal growth rate data, and the viscosity-diffusivity decoupling was characterized by Ediger's parameter xi varying between 0.40 and 0.55. The crystal growth rate was slightly higher in the film deposited on the glass substrate, with the compressive stress introduced at higher T having only a small effect. Meanwhile, the deposition on the glass substrate led to a significantly higher (especially below the glass transition temperature) nucleation rate, which underlines the key aspect of the crystallization process in very thin chalcogenide films: the formation of nuclei due to the internal stresses arising from the difference of the film/substrate thermal expansion coefficients. phase-change; thin-films; kinetics; crystallization; nucleation

Departments

Other Parts

Map

en.mapy.cz

Services

Popular Links

© 2023 University of Pardubice, Studentská 95, 532 10 Pardubice 2
Phone: +420 466 036 111, 466 036 112, 466 036 113
Webmaster, RSS
Data box ID: f5vj9hu
Accessibility Statement
CC BY-NC-ND 4.0Creative CommonsAttributionNonCommercialNoDerivatives