Login for students

Login for employees

Publication detail

Crystal Growth Kinetics of GeSe2 Polymorphs in Bulk Glasses and Thin Films: Role of Self-Diffusion and Viscosity
Year: 2025
Type of publication: článek v odborném periodiku
Name of source: Crystal Growth and Design
Publisher name: American Chemical Society
Place: Washington
Page from-to: 8232-8240
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Kinetika růstu krystalů polymorfů GeSe2 v objemových sklech a tenkých filmech: Role samodifúze a viskozity Znalost transportních vlastností a růstu krystalů polymofů GeSe2 v amorfních materiálech je důležitá pro přípavu a používání těchto materiálů. Článek se zabývá růstem krystalů v GeSe2 v objemových sklech a tenkých vrstvách, přičemž detailně analyzuje viskozitní vlastnosti a růst krystalů s cílem odhalit vliv samodifúze na proces krystalizace. V objemovém skle je sledován růst obou polymorfů GeSe2. Zatímco v tenkých filmech byl nalezen pouze nízkoteplotní polymorf GeSe2. Nicméně v obou případech dochází k růstu hluboko pod teplotou skelné transformace, kdy je viskozita extrémně vysoká. krystalizace; přechod; semikonduktor; nukleace; kapaliny
eng Crystal Growth Kinetics of GeSe2 Polymorphs in Bulk Glasses and Thin Films: Role of Self-Diffusion and Viscosity The knowledge of transport properties (viscosity and self-diffusion) and the knowledge of crystal growth of different polymorphs in amorphous materials prepared in different forms provide important information for the preparation, processing, and utilization of these materials. This article is the first study of the direct observation of crystal growth rates in amorphous GeSe2 bulk samples and thin films. The study contains a detailed analysis of viscosity and crystal growth in amorphous GeSe2 samples (bulks and thin films), revealing also information about the self-diffusion process. Two polymorphs of GeSe2 crystals (low temperature-LT, and high temperature-HT) grew in GeSe2 bulk glasses. In the thermal evaporated film, only LT-GeSe2 was found. Nevertheless, the crystals in thin films grew far below the glass transition temperature. To properly analyze and describe the crystal growth kinetics, viscosity data were obtained using a thermomechanical analyzer and a nanoindentation system. A combination of crystal growth data and viscosities provides information about the size and transport speed (self-diffusion) of structural units incorporated into the GeSe2 crystals. crystallization; transition; semiconductor; nucleation; liquids

Departments

Other Parts

Map

en.mapy.cz

Services

Popular Links

© 2023 University of Pardubice, Studentská 95, 532 10 Pardubice 2
Phone: +420 466 036 111, 466 036 112, 466 036 113
Webmaster, RSS
Data box ID: f5vj9hu
Accessibility Statement
CC BY-NC-ND 4.0Creative CommonsAttributionNonCommercialNoDerivatives