Publication detail

Sc-doped GeTe thin films prepared by radio-frequency magnetron sputtering

Year: 2025

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Scientific Reports

Publisher name: Nature Publishing Group

Place: London

Page from-to: nestránkováno

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Sc dopované GeTe vrstvy připravené RF sputteringem	Pro depozici tenkých vrstev GeTe dopovaného Sc byla využita metoda radiofrekvenčního magnetronového naprašování s využitím GeTe a Sc terčů. Pro vyhodnocení vlastností nanesených (amorfních) a žíhaných (krystalických) tenkých vrstev Ge-Te-Sc byly použity různé charakterizační techniky (skenovací elektronová mikroskopie s EDX, rentgenová difrakce, mikroskopie atomárních sil, měření teplotně závislého odporu vrstvy, spektroskopická elipsometrie s proměnným úhlem a hmotnostní spektrometrie s TOF). Připravené amorfní tenké vrstvy mají chemické složení Ge48Te52, Ge46Te50Sc4, Ge44Te48Sc8, Ge43Te47Sc10 a Ge41Te45Sc14. Teploty krystalizace byly zjištěny v oblasti přibližně 153-272 °C a zvyšují se s obsahem skandia.	materiály s fázovou změnou, GeTe, tentké vrstvy
eng	Sc-doped GeTe thin films prepared by radio-frequency magnetron sputtering	Radio frequency magnetron co-sputtering method employing GeTe and Sc targets was exploited for the deposition of Sc doped GeTe thin films. Different characterization techniques (scanning electron microscopy with energy-dispersive X-ray analysis, X-ray diffraction, atomic force microscopy, sheet resistance temperature-dependent measurements, variable angle spectroscopic ellipsometry, and laser ablation time-of-flight mass spectrometry) were used to evaluate the properties of as-deposited (amorphous) and annealed (crystalline) Ge-Te-Sc thin films. Prepared amorphous thin films have Ge48Te52, Ge46Te50Sc4, Ge44Te48Sc8, Ge43Te47Sc10 and Ge41Te45Sc14 chemical composition. The crystallization temperatures were found in the region of similar to 153-272 degrees C and they increase with scandium content. Upon amorphous-crystalline material phase change, large changes in sheet resistance were measured, with electrical contrast in terms of sheet resistance ratio R-annealed/Ras-deposited in the range of 1.37.10(-4) - 9.1.10(-7). Simultaneously, huge variations of optical functions were found as demonstrated by absolute values of optical contrast values (at 405 nm) in the range of \|Delta n\|+\|Delta k\| = 1.88-3.75 reaching maximum for layer containing 8 at% of Sc.	Phase change materials; Scandium doping; Germanium telluride; Thin films

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links