Publication detail

Reducing Nonradiative Recombination Losses in Tin-Based Perovskite LEDs Utilizing a Self-Assembled Monolayer

Year: 2025

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: ACS Applied Materials & Interfaces

Publisher name: American Chemical Society

Place: Washington

Page from-to: 60937-60943

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Snížení ztrát neradiačních rekombinací v perovskitových LED diodách na bázi cínu s využitím samosestavené monovrstvy	Perovskity na bázi cínu se stávají méně toxickými alternativami k jejich protějškům na bázi olova pro optoelektronická zařízení, jako jsou solární články a světelné diody (LED). Navzdory jejich velkému potenciálu však účinnost čistě červených perovskitových LED diod na bázi cínu (Sn-LED) stále zaostává za účinností perovskitových LED diod na bázi olova (Pb-LED), částečně kvůli špatnému blokování elektronů na rozhraní PEDOT:PSS/perovskit. To vede k škodlivým neradiačním rekombinačním drahám, které omezují výkon LED diod. V této studii jsme nahradili konvenční vrstvu PEDOT:PSS samouspořádanou monovrstvou (SAM) EADR03, což podle našich nejlepších znalostí představuje první zprávu o SAM použitém jako vrstva selektivní pro díry v Sn-LED. EADR03 současně fungovala jako účinná vrstva blokující elektrony a injektující díry, čímž snižovala ztráty mezifázovou rekombinací a zvyšovala výkon LED diod. V důsledku toho jsme dosáhli trojnásobného zvýšení externí kvantové účinnosti, což podnítilo vývoj účinnějších perovskitových LED diod na bázi cínu.	perovskit s halogenidem cínu; bezolovnaté LED diody; samosestavené monovrstvy; inženýrství rozhraní; TEA2SnI4; PEDOT; PSS; děrově selektivní vrstva
eng	Reducing Nonradiative Recombination Losses in Tin-Based Perovskite LEDs Utilizing a Self-Assembled Monolayer	Tin-based perovskites are emerging as less-toxic alternatives to their lead-based counterparts for optoelectronic devices, such as solar cells and light-emitting diodes (LEDs). However, despite their great potential, the efficiency of pure red tin-based perovskite LEDs (Sn-LEDs) still lags behind that of lead-based perovskite LEDs (Pb-LEDs), partly due to the poor electron blocking at the PEDOT:PSS/perovskite interface. This leads to detrimental nonradiative recombination pathways that limit the performance of the LEDs. In this study, we replaced the conventional PEDOT:PSS layer with the self-assembled monolayer (SAM) EADR03, presenting, to the best of our knowledge, the first report of a SAM employed as a hole-selective layer in Sn-LEDs. EADR03 simultaneously acted as an efficient electron-blocking and hole-injecting layer, thereby reducing interfacial recombination losses and enhancing the LEDs' performance. As a result, we achieved a 3-fold enhancement in external quantum efficiency, propelling the advancement of more efficient tin-based perovskite LEDs.	tin halide perovskite; lead-free LEDs; SAM; interface engineering; TEA(2)SnI(4); PEDOT:PSS; hole selective layer

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links