Publication detail

Local topographical changes of Ge-(Sb)-Se thin films induced by direct electron beam writing

Year: 2025

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Ceramics International

Publisher name: Elsevier Science

Place: Oxford

Page from-to: 24450-24458

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Lokální změny v topografii tenkých filmů Ge-(Sb)-Se způsobené přímým zápisem elektronovým svazkem	V této práci jsou studovány lokální změny topografie u tenkých filmů Ge-Se a Ge-Sb-Se vyvolané působením zaostřeného elektronového svazku. Získané výsledky ukazují, že u filmu Ge29.2Se70.8 dochází k expanzi, zatímco u filmů systému Ge-Sb-Se (Ge17.9Sb16.6Se65.5, Ge11.4Sb22.9Se65.7) nastává při porovnatelných experimentálních podmínkách odstraňování materiálu. Byl zkoumán také vliv použitých experimentálních podmínek (doba expozice, spot size, zvětšení, termodynamický stav filmu (čerstvě napařený vs. temperovaný)) na odezvu filmů (tzn. výšku/hloubku vzniklých mikroobjektů). Silová spektroskopie, mikroskopie atomárních sil, energiově-disperzní rentgenová analýza a digitální holografická mikroskopie byly využity pro charakterizaci vytvořených mikroobjektů. Získaná zjištění prokazují, že přímý zápis elektronovým svazkem může být použit pro lokální modifikace povrchu filmů Ge-(Sb)-Se, což může umožnit tvorbu mikrooptických elementů, jako jsou mikročočky.	Chalkogenidy; tenké filmy; zápis elektronovým svazkem; mikrostrukturování; silová spektroskopie
eng	Local topographical changes of Ge-(Sb)-Se thin films induced by direct electron beam writing	Local topographical changes are studied in Ge-Se and Ge-Sb-Se thin films induced by focused electron beam exposure. The results show that under comparable experimental conditions, the Ge29.2Se70.8 film undergoes expansion, while in Ge-Sb-Se compositions (Ge17.9Sb16.6Se65.5, Ge11.4Sb22.9Se65.7), the material is preferentially removed instead. Variations in electron beam parameters, including exposure time, spot size, and magnification, as well as the thermodynamic state of the thin films (virgin vs. annealed), are studied to characterize their influence on material response (height/depth of micro-objects). Force spectroscopy (FS), atomic force microscopy (AFM), energy dispersive X-ray analysis (EDX) and digital holographic microscopy (DHM) are used to characterize the micro-objects created and to identify possible changes in stiffness and chemical composition of the films studied. Observed findings demonstrate that electron beam direct writing can be used to locally modify the surface of Ge-(Sb)-Se thin films, enabling the fabrication of micro-optical elements such as microlenses.	Chalcogenides; Thin films; Electron beam writing; Micro-structuring; Force spectroscopy

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links