Publikace detail

Photostability of pulsed laser deposited amorphous thin films from Ge-As-Te system

Autoři: Hawlová Petra | Verger Frederic | Nazabal Virginie | Boidin Rémi | Němec Petr

Rok: 2015

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Scientific Reports

Název nakladatele: Nature Publishing Group

Místo vydání: London

Strana od-do: "9310-1"-"9310-7"

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Fotostabilita amorfních tenkých vrstev ze systému Ge-As-Te deponovaných pulzním laserem	Amorfní tenké vrstvy ze systému Ge-As-Te byly připraveny pulzní laserovou depozicí za účelem studia jejich intrinsické fotostability, morfologie, chemického složení, struktury a optických vlastností. Fotostabilita připravených vrstev byla studována spektroskopickou elipsometrií jak u panenských tak i relaxovaných (temperovaných) vrstev. Pro expozice byly použity laserové zdroje pracující při třech vlnových délkách v oblasti energií blízkých šířce zakázaného pásu energií studovaných materiálů. Výsledky ukazují, že nejnižší hodnoty fotoindukovaných změn indexu lomu doprovázené nejnižšími změnami šířky zakázaného pásu energií byly zjištěny u tenkých vrstev Ge20As20Te60, které jsou proto vyhodnoceny jako vrstvy s nejvyšší fotostabilitou v relaxovaném stavu. Struktura vrstev je diskutována na základě výsledků spektroskopie Ramanova rozptylu.	tenké vrstvy; amorfní chalkogenidy; fotostabilita
eng	Photostability of pulsed laser deposited amorphous thin films from Ge-As-Te system	Amorphous thin films from Ge-As-Te system were prepared by pulsed laser deposition to study their intrinsic photostability, morphology, chemical composition, structure and optical properties. Photostability of fabricated layers was studied by spectroscopic ellipsometry within as-deposited as well as relaxed (annealed) layers. For irradiation, laser sources operating at three wavelengths in band gap region of the studied materials were employed. The results show that lowest values of photorefraction accompanied with lowest changes of band gap values were exhibited by Ge20As20Te60 thin films, which are therefore considered as the layers with highest photostability in relaxed state. The structure of the films is discussed based on Raman scattering spectroscopy data.	thin films; amorphous chalcogenides; photostability

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte