Plazmatické procesy pro růst tenkých vrstev amorfních chalkogenidů
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Program: Francie - Barrande
Období realizace: 01.01.13 - 31.12.14
Pracoviště:
Fakulta chemicko-technologická - Katedra polygrafie a fotofyziky
Hlavní řešitel: Němec Petr
Popis:
V rámci projektu budou pulzní laserovou depozicí za použití pulzních laserů s různými parametry (vlnová délka, délka pulzu) připraveny vysoce kvalitní tenké vrstvy amorfních chalkogenidů Ge-(As, Sb)-Se-(Te). Připravené vrstvy budou charakterizovány ve smyslu struktury, morfologie a optických vlastností. Depoziční proces bude monitorován studiem plazmatu rychlým zobrazováním ICCD kamerou a prostorově a časově rozlišenou optickou emisní spektroskopií. Získaná data povedou k hlubšímu pochopení procesů probíhajících v průběhu růstu tenkých vrstev plazmatickými technikami.
V rámci projektu budou pulzní laserovou depozicí za použití pulzních laserů s různými parametry (vlnová délka, délka pulzu) připraveny vysoce kvalitní tenké vrstvy amorfních chalkogenidů Ge-(As, Sb)-Se-(Te). Připravené vrstvy budou charakterizovány ve smyslu struktury, morfologie a optických vlastností. Depoziční proces bude monitorován studiem plazmatu rychlým zobrazováním ICCD kamerou a prostorově a časově rozlišenou optickou emisní spektroskopií. Získaná data povedou k hlubšímu pochopení procesů probíhajících v průběhu růstu tenkých vrstev plazmatickými technikami.
