Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance


Netěkavá paměť na bázi odporového spínání v tenkých vrstvách chalkogenidů

Poskytovatel: Technologická agentura České republiky
Program: Program aplikovaného výzkumu, experimentálního vývoje a inovací GAMA
Období realizace: 01.07.17 - 30.11.19
Pracoviště: Fakulta chemicko-technologická - Katedra obecné a anorganické chemie
Hlavní řešitel: Wágner Tomáš
Spoluřešitelé: Rozsíval Pavel
Popis:
Na základě proof-of-concept vyvinout funkční materiál vhodný pro paměťové spínání a zápis informací v iontově vodivých tenkých vrstvách chalkogenidů. Připavit funkční vzorek pro paměťový zápis.