Tenké vrstvy na bázi chalkogenidů pro paměťové materiály s fázovou změnou
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Program: Francie - Barrande
Období realizace: 01.01.25 - 31.12.26
Pracoviště:
Fakulta chemicko-technologická - Katedra polygrafie a fotofyziky
Hlavní řešitel: Němec Petr
Popis:
x
x
