Publikace detail

Homocysteine and Its Thiolactone Behaviour in Cathodic Stripping Voltammetry at a Mercury Electrode

Rok: 2008

Druh publikace: kapitola v odborné knize

Název zdroje: Sensing in Electroanalysis Vol. 3

Název nakladatele: Univerzita Pardubice

Místo vydání: Pardubice

Strana od-do: 155-164

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Chování homocysteinu a jeho thiolaktonu při katodické rozpouštěcí voltametrii na rtuťové elektrodě	Homocystein (Hcy) tvoří po anodické polarizaci na rtuťové elektrodě málo rozpustné thioláty rtuti, ve kterých redukce iontu rtuti poskytuje charakteristický katodický rozpouštěcí pík A. Uvolněný Hcy pak katalyzuje redukci nikelnatého iontu, pokud je přítomný v roztoku, objevuje se druhý katodický pík při -0,75 V. Nikelnatý iont přitom nemá žádný vliv na pík A. Thiolakton homocysteinu není za těchto podmínek elektrochemicky aktivní, ale pokud jsou přítomny stopy Hcy jako nečistota, oba redukční píky A i B se objeví. Tímto způsobem lze např. sledovat míru znečištění komerčních preparátů thiolaktonu homocysteinu.	Homocystein;thiolakton homocysteinu;katodická rozpouštěcí voltametrie;rtuťová elektroda
eng	Homocysteine and Its Thiolactone Behaviour in Cathodic Stripping Voltammetry at a Mercury Electrode	Homocysteine (Hcy) forms a sparingly soluble mercury thiolate under anodic polarization at a mercury electrode and mercury ion reduction in this compound gives rise to a characteristic cathodic stripping peak (A). If the nickel ion is present, Hcy released by this reaction does catalyze nickel ion reduction and yields a second cathodic peak (B) at about ?0.75 V. Nickel ion has no effect on the peak A. Homocysteine-thiolactone (HTL) is electrochemically inactive under similar conditions, but Hcy impurity that is present in the commercial MTH reagent develops both peaks A and B under suitable conditions. Hcy impurity in HTL can therefore be assessed by cathodic stripping voltammetry.	Homocysteine;homocysteine thiolactone;cathodic stripping voltammetry;mercury electrode

Search

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte