Publikace detail

Atomic force microscopy and atomic force acoustic microscopy characterization of photo-induced changes in some Ge-As-S amorphous films.

Autoři: Knotek Petr | Tichý Ladislav

Rok: 2009

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Thin Solid Films

Název nakladatele: Elsevier Science BV

Místo vydání: Amsterdam

Strana od-do: 1837-1840

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Cahrakterizace fotoindukovaných změn v amorfních filmech Ge-As-S pomocí AFM a AFAM.	Amorfní Ge27As13S60, Ge14As27S59 a Ge16As26S58 tenké filmy byly připraveny napařováním. Ztemperované filmy byly ztmaveny fotony s energií mírně přesahující Eg. Pomocí AFM byla pozorována výrazná fotoexpanze studovaných filmů. Pomocí AFAM se získal přehled o doménové struktuře povrchu a pod-povrchových částí vzorků, kde se dokázalo, že osvícením dochází k jejich desintegraci.	amorfní materiály
eng	Atomic force microscopy and atomic force acoustic microscopy characterization of photo-induced changes in some Ge-As-S amorphous films.	Amorphous Ge27As13S60, Ge14As27S59 and Ge16As26S58 thin films were prepared by thermal evaporation. Well annealed films were photodarkened by the photons with energy little exceeding the band gap energy. Using Atomic Force Acoustic Microscopy revealed domains like structure of the surface and near surface parts of the samples which one was found to be more disintegrated after illumination.	amorphous materials

Search