Publikace detail

Planar chalcogenide quarter wave stack filter for near-infrared

Rok: 2009

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Non-Crystalline Solids

Název nakladatele: Elsevier Science BV

Místo vydání: Amsterdam

Strana od-do: 1521-1525

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Planární chalkogenidové QWS filtry pro blízkou infračervenou oblast	Planární chalkogenidové QWS filtry pro blízkou infračervenou oblast byly připraveny na bázi alternujících chalkogenidových vrstev s vysokým rozdílem indexu lomu. Filter sestával z nízko-indexového Ge-S "spaceru" obklopenéhoch dvěma Sb-Se/Ge-S reflektory tvořenými 8 vrstvami. Filmy byly deponovány mžikovým a termickým napařováním. Po jejich depozici nasledovala tepelná stabilizace na165 °C po dobu 1 h. Měření optické odrazivosti temperovaného filtru pro kolmý dopad světla odhalilo 63% "passband" v blízkosti 1540 nm . Až 80% "passband" byl zaznamenán při měření odrazivosti filtru pro šikmé úhly 35°, 45° and 55° a s-polarizaci světla a současně posun polohy pasu na hodnoty 1451, 1476 a 1505 nm. Až 75% "passband" byl zaznamenán v blízkosti vlnových délek 1436, 1467 a 1498 nm jako odezva filtru na ozáření p-polarizovaným světlem při stejných úhlech dopadu. Úhlová zavislost odrazivostí dielektrických multivrstev se využívá pro filtrování světla.	Amorphous semiconductors II?VI semiconductors Films and coatings Ellipsometry Infrared glasses Chalcogenides Optical spectroscopy STEM/TEM Infrared properties
eng	Planar chalcogenide quarter wave stack filter for near-infrared	A quarter wave stack dielectric filter with normal incidence pass band in near-infrared range was prepared from alternating high index contrast chalcogenide films. The prepared filter consists of a low index Ge?S spacer layer surrounded by two 4.0 pairs Sb?Se/Ge?S reflectors. Films were deposited using flash and thermal evaporation techniques. After deposition, the filter was annealed at 165 °C for 1 h. Optical reflectivity measurements of the annealed filter revealed a 63% normal incidence passband near 1540 nm. An 80% passband was recorded after illumination of the filter by the light with s-polarization at angles 35°, 45° and 55°, while its position shifted to 1451, 1476 and 1505 nm, respectively. A 75% passband appeared near 1436, 1467 and 1498 nm in response to illumination of the filter by the light with p-polarization at the same angles. The angular dependence of the reflectivity of dielectric multilayer can be exploited for filtering of incident light.	Amorphous semiconductors II?VI semiconductors Films and coatings Ellipsometry Infrared glasses Chalcogenides Optical spectroscopy STEM/TEM Infrared properties

Search

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte