Publikace detail

Near infrared quazi-omnidirectional reflector in chalcogenide glasses

Rok: 2009

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Optical Materials

Název nakladatele: Elsevier Science BV

Místo vydání: Amsterdam

Strana od-do: 154-158

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Quazi-všesměrový chalkogenidový reflector pro blízkou infračerenou oblast	Quazi-všesměrový chalkogenidový reflector pro blízkou infračerenou oblast byl připraven z alternujících vrstev o složení Ge25S75 a Sb40Se60. Fotonický zakázaný pás této multivrstvy byl predikován v šíři 240 nm (všesměrový) a 450 nm (pro kolmý dopad světla) se středem u 1.55 um. Transmisní elektronová mikroskopie (TEM) odhalia téměř perfektní periodicitu připravené multivrstvy, hladké rozhraní vrstev a jejich amorfní strukturu. Měření optické odrazivosti zase maximum reflektivity pro kolmy dopad svetla 98.8% pro 1.55 um. Přinášíme též elipsometrickou charakterizaci připravené multivrstvy. TEM a elipsometrie potvrdily odchylky v tloušce vrstev ?7 respektive ?9 nm oproti teoretickým hodnotám.	amorfní polovodice, chalkogenidy, multivrstvy, zrcadla, elipsometrie
eng	Near infrared quazi-omnidirectional reflector in chalcogenide glasses	The quazi-omnidirectional reflector was designed as a planar quarter wave stack consisting of the alternating amorphous chalcogenide Ge25S75 and Sb40Se60 films. Photonic bandgap calculation of the intended reflector predicted 240 nm omnidirectional and 450 nm normal incidence first-order bandgaps centred near 1.55 lm for appropriate values of the index of refraction and thickness of the films. The TEM and HR-TEM images of the prepared 7.5 pairs reflector verified good periodicity, smooth interface and amorphous structure of the chalcogenide films deposited by thermal and flash evaporation, respectively. The optical reflectivity measurements revealed 98.8% normal incidence stopband of the reflector at 1.55 um. We also report the ellipsometry study of the prepared reflector. The TEM and ellipsometry studies confirmed the thickness variation of prepared individual layers to be ?7 and ?9 nm, respectively, compared to theoretical predictions.	amorphous semiconductors, chalcogenides, multilayers, reflectors, ellipsometry

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte