Publikace detail

Limits of the copper decoration technique for delineating of the V?I boundary.

Rok: 2007

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Physics and Chemistry of Solids

Název nakladatele: Pergamon-Elsevier Science Ltd.

Místo vydání: Oxford

Strana od-do: 1157-1160

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Limity dekorační techniky za použití měďi pro vykreslení rozhraní V?I.	Byly studovány limity dekorační techniky za použití měďi pro vykreslení rozhraní V?I.	polovodiče, růst krystalů, defekty
eng	Limits of the copper decoration technique for delineating of the V?I boundary.	Limits of the copper decoration technique for delineating of the V?I boundary were studied.	semiconductors, crystal growth, defects

Search