Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Structure of pulsed-laser deposited arsenic-rich As-S amorphous thin films, and effect of light and temperature.
Autoři: Němec Petr | Jedelský Jaroslav | Frumar Miloslav | Černošek Zdeněk | Vlček Milan
Rok: 2005
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Journal of Non-Crystalline Solids
Název nakladatele: Elsevier Science BV
Místo vydání: Amsterdam
Strana od-do: 3497-3502
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Struktura tenkých amorfních vrstev As50S50 deponovaných pulsním laserem, vliv expozice a temperace. Byla studována struktura tenkých amorfních vrstev As50S50 deponovaných pulsním laserem, vliv expozice a temperace. amorfní chalkogenidy, Ramanův rozptyl, pulsní laserová depozice
eng Structure of pulsed-laser deposited arsenic-rich As-S amorphous thin films, and effect of light and temperature. Structure of pulsed-laser deposited arsenic-rich As-S amorphous thin films, and effect of light and temperature were studied. Amorphous chalcogenides;Raman scattering;pulsed laser deposition