Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Structure of pulsed-laser deposited arsenic-rich As-S amorphous thin films, and effect of irradiation and annealing.
Autoři: Němec Petr | Jedelský Jaroslav | Frumar Miloslav | Černošek Zdeněk | Vlček Milan
Rok: 2005
Druh publikace: článek ve sborníku
Název zdroje: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
Název nakladatele: Universidade Nova de Lisboa
Místo vydání: Lisbon, Portugal
Strana od-do: 244
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Struktura arsenem bohatých amorfních tenkých vrstev As-S připravených pulsní laserovou depozicí, vliv expozice a temperace. Byla studována struktura arsenem bohatých amorfních tenkých vrstev As-S připravených pulsní laserovou depozicí, pozornost byla věnována rovněž vlivu expozice a temperace. amorfní chalkogenidy, pulsní laserová depozice, Ramanův rozptyl
eng Structure of pulsed-laser deposited arsenic-rich As-S amorphous thin films, and effect of irradiation and annealing. Structure of pulsed-laser deposited arsenic-rich As-S amorphous thin films, effect of irradiation and annealing were studied. amorphous chalcogenides, pulsed laser deposition, Raman scattering