Publikace detail

The development of an arsenic sulfide glass based photoresist

Autoři: Himanshu J. | Dubey M. | Russo L. | Vlcek M.

Rok: 2004

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Ceramic Transactions

Název nakladatele: American Ceramic Society

Místo vydání: USA

Strana od-do: 107-114

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Vývoj fotoresistu na bázi As-S skla	Photoindukované změny struktury chalkogenidových vrstev jsou příčinou pozorovaného jevu selektivního leptání, který byl využit pro vývoj fotorezistu. Selektivita leptání byla výrazně zvýšena využitím jevu fotoindukované difuze stříbra. Byly studovány parametry binárního a stříbrem dotovaného fotoresistu, byla měřena in-situ kinetika jejich rozpouštění a stanovena rozlišovací schopnost.
eng	The development of an arsenic sulfide glass based photoresist	The photoinduced changes in the structure of chalcogenide glasses produce a selective etching effect, which has been investigated for the development of a photoresist. the phenomenon of photoinduced silver diiffusion into chalcogenide film was also used to make photoresist more resistant to a chemical etchant so that selectivity was greatly enhanced. The performance of binary and silver doped chalcogenide photoresists was evaluated and compared by examining their in-situ etching kinetics and resolution capability.	photoresist, chalcogenide film

Vyhledávání