Publikace detail

Kinetics of crystal growth of germanium disulfide in Ge0.38S0.62 chalcogenide glass.

Autoři: Shánělová Jana | Málek Jiří | Alcalá M. | Criado J.

Rok: 2005

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Non-Crystalline Solids

Název nakladatele: Elsevier Science BV

Místo vydání: Amsterdam

Strana od-do: 557-567

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Kinetika růstu krystalů GeS2 ve skelné matrici Ge 0,38 S 02,62.	Kinetika růstu krystalů GeS2 ve skelné matrici Ge0.38S0.62 byla studována mikroskopicky a pomocí DSC. Kinetika lineárního růstu vysokoteplotní i nízkoteplotní krystalové modifikace byla studována v relativně širokém teplotním rozmezí 420 < T < 494 oC, jež odpovídá viskozitám podchlazené kapaliny. Zdá se že nejpravděpodobnějším mechanismem krystalizace za těchto podmínek je pro vysokoteplotní modifikaci dvoudimenzionální nukleační růst. U nízkoteplotní modifikace jsou však znatelné odchylky od tohoto modelu. To může indikovat změny v meziplošné energii krystal-tavenina nebo částečné selhání Stokes-Einsteinova vztahu pro tento případ. U teplot pod 500 °C se mikroskopická měření překrývají s měřeními entalpickými. V tomto případě může být celková kinetika krystalizace popsána Johnson-Mehl-Avrami (JMA) nukleačně-růstovým modelem s kinetickým exponentem. Hodnota aktivační energie nukleace EN = 434 kJ.mol-1 odhadnutá z těchto experimentů je srovnatelná s aktivační energií viskózního toku podchlazené Ge0.38S0.62 taveniny. Při vyšších teplotách byla pozorována složitější eutektická krystalizace zahrnující krystalizaci GeS2 a GeS. Tento proces je pravděpodobně spojen se sekundární nukleací a nemůže být popsán jednoduchým JMA modelem.	kinetika krystalizace, termická analýza, GeS2, viskozita
eng	Kinetics of crystal growth of germanium disulfide in Ge0.38S0.62 chalcogenide glass.	The crystal growth kinetics of GeS2 in Ge0.38S0.62 glass has been studied by Differential Scanning Calorimetry (DSC) and microscopy. The linear crystal growth kinetics of both high temperature and low temperature polymorphs has been observed over a relatively broad range of temperatures, i.e. 420 < T < 494 oC that correspond to viscosity of supercooled melt. It seems that 2D nucleated growth is the most probable mechanism of crystallization for high temperature under these conditions. However, there are significant deviations for this model for the crystallization of low-temperature. This might indicate some changes in crystal-melt interfacial energy or break down of Stokes-Einstein relation in that particular case. At temperatures below the temperature range of directly observed crystal growth overlaps with isothermal DSC measurements. In this case overall crystallization kinetics can be described by the Johnson-Mehl-Avrami (JMA) nucleation-growth model for kinetic exponent. The value of activation energy of nucleation estimated from these experiments EN = 434 kJ.mol-1 is comparable with the activation energy of viscous flow in supercooled Ge0.38S0.62 melt. A more complex eutectic crystallization involving both GeS2 and GeS phases has been observed at higher temperatures. This process is probably associated with secondary nucleation and cannot be described by a simple JMA model.	Crystallization kinetics, thermal-analysis. GeS2, viscosity

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte