Univerzita PardubiceFakulta chemicko- technologická

Univerzita Pardubice

Zaměstnanci
|
Studenti
English

Publikace detail

Nanostructuring of Amorphous Chalcogenide Films by e-beam

Autoři: Vlček Miroslav | Jain H. | Miller F.C. | Schroeter S. | Poehlmann R. | Fiserova A.

Rok: 2005

Druh publikace: ostatní - přednáška nebo poster

Název zdroje:

Název nakladatele:

Místo vydání:

Strana od-do:

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Nanostrukturování amorfních chalkogenidových vrstev svazkem elektronů	V práci je demonstrována tvorba nanostruktur v chalkogenidových sklech elektronovou litografií. Bylo zjištěno, že svazkem elektronů s energií 20 - 30 keV lze při expozičních dávkách 100 -400 ?C/cm2 dosáhnout při následném leptání v aminových lázních negativního leptu. Selektivita leptání je lineárně závislá na expoziční dávce. Podařilo se připravit pole sloupků o průměru 100 nm s periodou 350 nm s vysokým aspect ratio (cca 4). Rozlišovací schopnost při tvorbě lineárních nanostruktur byla lepší než 14 nm.
eng	Nanostructuring of Amorphous Chalcogenide Films by e-beam	In the present work we have demonstrated fabrication of nanostructures in chalcogenide glasses using electron beam lithography (EBL). We have found that exposure to electron beam with energy 20 ? 30 keV and dose 100 ? 400 ?C/cm2 is sufficient to achieve a negative type etching in amine based solvents. Selectivity of etching and thus remaining thickness in exposed parts is linearly proportional to the exposure dose. Pillar arrays with diameter less than 100 nm, period 350 nm and aspect ratio ~ 4 have been of fabricated. A resolution of better than 14 nm has been achieved in linear nanostructures	nanostructures, chalcogenide glass, electron beam lithography