Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Development of Hard Photoresist Masks with Dry Reactive Ion Etching Photolithography
Autoři: Jain H. | Vlček Miroslav | Kovalskiy A. | Lorinczi A. | Simmens A. | Dubey M.
Rok: 2005
Druh publikace: ostatní - přednáška nebo poster
Název zdroje:
Název nakladatele:
Místo vydání:
Strana od-do:
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Vývoj vysoce odolných fotorezistových masek pomocí suché reaktivní fotolitografie Byla studována možnost využití suchého leptání pro tvorbu mikrostruktur v anorganickém fotorezistu na bázi As. Selektivity lepání bylo dosaženo využitím jevu fotoindukované difuze v systému Ag - As2S3.
eng Development of Hard Photoresist Masks with Dry Reactive Ion Etching Photolithography Dry negative etching for the fabrication of microstructures in As based inorganic photoresists was evaluated. The selectivity of etching was successfully realized by using photodiffusion in Ag - As2S3 bilayer structure. dry etching, inorganic photoresist, photodiffusion