Publikace detail

Electronic and structural changes induced by irradiation or annealing in pulsed laser deposited As50Se50 films. An XPS and UPS study.

Autoři: Kalyva | Siokou | Yannopoulos | Němec Petr | Frumar Miloslav

Rok: 2007

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Physics and Chemistry of Solids

Název nakladatele: Pergamon-Elsevier Science Ltd.

Místo vydání: Oxford

Strana od-do: 906-910

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Elektronické and strukturní změny ve vrstvách As50Se50 deponovaných pulzním laserem indukované expozicí nebo temperací . XPS a UPS studie.	Technikami XPS a UPS byly studovány elektronické and strukturní změny ve vrstvách As50Se50 deponovaných pulzním laserem indukované expozicí nebo temperací	amorfní chalkogenidy, tenké vrstvy, pulzní laserová depozice, XPS, UPS
eng	Electronic and structural changes induced by irradiation or annealing in pulsed laser deposited As50Se50 films. An XPS and UPS study.	Electronic and structural changes induced by irradiation or annealing in pulsed laser deposited As50Se50 films were studied by XPS and UPS techniques.	amorphous chalcogenides, thin films, pulsed laser deposition, XPS, UPS

Vyhledávání