Publikace detail

Figure of Merit of (Sb(0.75)Bi(0.25))(2-x)In(x)Te(2.8)Se(0.2) Single Crystals

Rok: 2010

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Electronic Materials

Název nakladatele: Springer International Publishing AG

Místo vydání: Cham

Strana od-do: 1760-1763

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Termoelektrická účinnost monokrystalů Sb(0.75)Bi(0.25))(2-x)In(x)Te(2.8)Se(0.2)	V předchozích pracech jsme prokázali, že dopování indiem zlepšuje termoelektrické vlastnosti monokrystalů Sb(0.75)Bi(0.25))(2)Te(3). Tento efekt byl připsán změně velikosti a typu rozptylu volných děr a snížení tepelné vodivosti. Protože se v současné době na nízkoteplotní aplikace pro p typ termoelektrických materiálů používá Bi(0.5)Sb(1.5)Te(3-y)Se(y), pokusili jsme se ještě více zlepšit termoelektrické vlastnosti tohoto materiálu dopováním In. Dopování In skutečně zlepšuje termoelektrickou účinnost (Sb(0.75)Bi(0.25))(2-x)In(x)Te(2.8)Se(0.2) o více než 15% v porovnání s nedopovaným Sb(0.75)Bi(0.25))(2)Te(2.8)Se(0.2) pod teplotou místnosti.	chalkogenidy; transportní koeficienty; termoelektrické vlastnosti; tetradymitové krystaly; transportní vlastnosti
eng	Figure of Merit of (Sb(0.75)Bi(0.25))(2-x)In(x)Te(2.8)Se(0.2) Single Crystals	We have shown previously that indium doping is beneficial for thermoelectric properties of (Sb(0.75)Bi(0.25))(2)Te(3). This effect was ascribed to a change in the magnitude and mechanism of hole scattering and a decrease in thermal conductivity. Since the state-of-the-art material for p-type legs in low-temperature applications is the quaternary Bi(0.5)Sb(1.5)Te(3-y)Se(y), we have attempted to dope this material with In, hoping to improve its properties further. Indeed, the doping enhances the figure of merit of (Sb(0.75)Bi(0.25))(2-x)In(x)Te(2.8)Se(0.2) by more than 15% compared with the values measured on undoped Sb(0.75)Bi(0.25))(2)Te(2.8)Se(0.2) below room temperature.	chalcogenides; transport coefficients; thermoelectric properties; tetradymite crystals; transport properties

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte