Publikace detail

Optical properties of Tl-doped Bi2Se3 single crystals

Autoři: Janíček Petr | Drašar Čestmír | Krejčová Anna | Lošťák Petr | Navrátil Jiří

Rok: 2010

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Scientific Papers of the University of Pardubice, Series A, Faculty of Chemical Technology

Název nakladatele: Univerzita Pardubice

Místo vydání: Pardubice

Strana od-do: 75-85

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Optické vlastnosti monokrystalů Bi2Se3 dopovaných Tl	Pomocí modifikované Bridgmannovy metody byly připraveny monokrystaly Bi(2-x)Tl(x)Se(3) s obsahem Tl cTl = od 0 do 5.2*10^24 atomů/m3. Připravené vzorky byly charakterizovány měřením reflektivity a propustnosti v infračervené oblasti. Bylo zjištěno, že substituce atomů Tl za atomy Bi vede ke snížení koncentrace volných elektronů. Tento efekt je vysvětlen pomocí modelu bodových defektů v krystalové mřížce.	Optické vlastnosti; monokrystaly; Bi2Se3; bodové defekty
eng	Optical properties of Tl-doped Bi2Se3 single crystals	Bi(2-x)Tl(x)Se(3) single crystals with Tl content of cTl = 0 to 5.2*10^24 atoms/m3 prepared from the elements of 5N purity by means of a modified Bridgman method were characterized by the measurements of infrared reflectance and transmittance. It was found that the substitution of Tl atoms for Bi atoms in the Bi2Se3 crystal lattice leads to decrease in the free carrier concentration. This effect is explained within a model of the point defects in the crystal lattice.	Optical properties; Bi2Se3; single crystals; point defects

Vyhledávání