Publikace detail

Thermoelectric properties and nonstoichiometry of GaGeTe

Autoři: Drašar Čestmír | Kucek Vladimír | Beneš Ludvík | Lošťák Petr | Vlček Milan

Rok: 2012

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Solid State Chemistry

Název nakladatele: Academic Press (Elsevier)

Strana od-do: 42-46

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Termoelektrické vlastnosti a nestechiometrie GaGeTe	Polykrystalické vzorky složení Ga(1 + x)Ge(1-x)Te (x od -0,03 do 0,07) a GaGeTe(1-y) (y od -0,02 do 0,02) byly syntetizovány z prvků 5 N čistoty pomocí reakce v pevné fázi. Produkty syntézy byly identifikovány X-ray difrakcí: fázová čistota a mikrostruktura byla zkoumána EDX / SEM. Vzorky pro měření transportních vlastností byly připraveny pomocí lisování za vysokých teplot (hot-pressing). Vzorky byly charakterizovány měřením elektrické vodivosti, Hallova koeficientu, a Seebeckova koeficientu v teplotním rozmezí 80-480 K a tepelné vodivosti v teplotním rozmezí 300-580 K. Všechny vzorky vykazují p-typ vodivosti. Je diskutován vliv stechiometrie na fázovou čistotu vzorků a na koncentraci volných nositelů. Z termoelektrických vlastností vyplývá, že power faktor těchto vzorků je nízký ve srovnání s běžně používanými materiály při pokojové teplotě, ale výrazně se zvyšuje s teplotou.	galium germanium telurid; termoelektrické vlastnosti; stechiometrie
eng	Thermoelectric properties and nonstoichiometry of GaGeTe	Polycrystalline samples of composition Ga(1+x)Ge(1-x)Te (x from -0.03 to 0.07) and GaGeTe(1-y) (y from -0.02 to 0.02) were synthesized from elements of 5 N purity using a solid state reaction. The products of synthesis were identified by X-ray diffraction: phase purity and microstructure were examined by EDX/SEM. Samples for measurement of transport properties were prepared using hot-pressing. They were characterized by measurement of electrical conductivity, the Hall coefficient, and the Seebeck coefficient over a temperature range 80-480 K and of thermal conductivity over a temperature range 300-580 K. All samples show p-type conductivity. We discuss the influence of stoichiometry on the phase purity of the samples and on free carrier concentration. The investigation of thermoelectric properties shows that the power factor of these samples is low compared to state-of-the-art materials at room temperature but increases distinctly with temperature.	gallium germanium telluride; thermoelectric properties; stoichiometry

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte