Publikace detail

Synthesis, structrure and optical properties of thin films form GeS2-In2S3 system deposited by thermal co – evaporation

Rok: 2014

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Thin Solid Films

Název nakladatele: Elsevier Science BV

Místo vydání: Amsterdam

Strana od-do: 298-305

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Syntéza, struktura a optické vlastnosti tenkých filmů ze systému GeS2-InS3 vakuově napařených, metodou více lodiček	Tato práce se zabývá vlastnostmi tenkých filmů systému GeS2 - In2S3 vakuově napařených, současně z GeS2 a In2S3.Výpočtem Z propustnostních a odrazných spekter byly spočítány index lomu n a optický gap Egopt. Infračervená spektra ve vzdálené oblasti indikují, že indium se účastní ve skelné mřížce tenké vrstvy systému Ge - S – In ve čtyřikrát koordinovaných tetraedrických InS4/2- a šestkrát koordinovaných oktaedrických InS6/23- jednotkách. Změny v infračervených spektrech po temperaci tenkých filmů prokazují, nárůst populace etanu podobných jednotek S3Ge-GeS3 a/nebo strukturní transformace InS4- → InS63+.	chalkogenidová skla; tenké filmy; optické vlastnosti
eng	Synthesis, structrure and optical properties of thin films form GeS2-In2S3 system deposited by thermal co – evaporation	This paper deals with the properties of the thin films from GeS2 - In2S3 system deposited by thermal co-evaporation of GeS2 and In2S3. The refractive index, n and the optical band gap, Egopt were calculated from the transmittance and reflectance spectra. The far-infrared spectra indicated that the indium participates in the glass network of the layers from Ge - S - In system in four coordinated InS4/2- tetrahedral and six-coordinated InS6/23- octahedral units. The changes in infrared spectra after annealing of the thin films evidence an increase of population of ethane-like S3Ge-GeS3 units and/or structural transformations InS4- → InS63+.	chalcogenide glasses; thin films; optical properties

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte