Publikace detail

Tenké filmy chalkogenidových skel systému ge-se-te pro optický záznam informací

Autoři: Hejdová Martina | Černošková Eva | Todorov Rosen | Černošek Zdeněk | Holubová Jana

Rok: 2014

Druh publikace: článek ve sborníku

Název zdroje: Sborník příspěvků Mezinárodní Masarykovy konference pro doktorandy a mladé vědecké pracovníky 2014

Název nakladatele: MAGNANIMITAS

Místo vydání: Hradec Králové

Strana od-do: 3493-3499

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Tenké filmy chalkogenidových skel systému ge-se-te pro optický záznam informací	Tenké filmy chalkogenidových skel mohou hrát důležitou roli v informačních technologiích, kdy se jeví slibně jako použití pro počítačové aplikace, a např. pro optický záznam informací. Ten je založen na phase change efektu - přeměna sklovité a krystalické fáze. Byl vybrán jeden z potenciálně použitelných sklovitých systémů Ge30Se70-xTex kde x = 0, 10, 20 a byly studovány jeho vlastnosti. Z připravených bulků, byly vakuovým napařením připraveny tenké filmy (d ∼ 1 μm). Bylo zjištěno, že připravené filmy byly amorfní a homogenní. S rostoucím obsahem Te klesá optická šířka zakázaného pásu a teplota skelné transformace i teplota krystalizace. Struktura byla studována pomocí Ramanovy spektroskopie. Byly pozorovány rohem spojené tetreadry GeSe4/2, směsné tetraedry GeSe(4-x/2)Tex/2 a tetraedry GeTe4/2.	tenké filmy; phase change efekt; Ramanova spektra; tepelná stabilita; optické vlastnosti.
eng	Thin chalcogenide ge-se-te films for optical storage	Thin films of chalcogenide glasses can play an important role in information technology, which looks promising as the use of computer applications, and eg. for optical storage. This is ased on phase change effect - the conversion of glassy and crytalline phases. One of the potentially useful systems Ge30Se70-xTex, where x = 0, 10, 20 was chosen and its properties were studied. From prepared bulk were sputtered by vacuum evaporation thin films (d ∼ 1 μm). It was found that the prepared films were amorphous and homogeneous. With increasingTe content decrease the optical band gap, the glass transition temperature and crystallization temperature. The structure was studied by Raman spectroscopy. Corner sharing tetrahedra GeSe4/2, mixed tetrahedra GeSe (4-x/2) Tex/2 and tetrahedra GeTe4/2 were observed.	thin films; phase change effect; Raman spektra; thermal stability; optical properties

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte