Univerzita PardubiceFakulta chemicko- technologická

Univerzita Pardubice

Zaměstnanci
|
Studenti
English

Publikace detail

Dopování Ag do tenkých vrstev Ge28-xGaxS72

Autoři: Valkova Silviya | Wágner Tomáš | Pavlišta Martin | Vlček Milan | Frumarová Božena | Beneš Ludvík

Rok: 2014

Druh publikace: ostatní - přednáška nebo poster

Strana od-do: nestránkováno

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Dopování Ag do tenkých vrstev Ge28-xGaxS72	Vzhledem k současným trendům ve vývoji informačních technologií, je nezbytné zahrnout do daného odvětví také výzkum nových paměťových systémů. CBRAM (Conductive bridging random access memory) jsou paměťi se spínáním přes vodivé můstky, které používají vysokou iontovou vodivost některých materiálů (Ag, Cu), vysoce rozpustných v pevných elektrolytech. Jedním z důležitých faktorů, které určují kvalitu paměti, je zde výběr vhodného elektrolytu. V této práci byly jako potenciální elektrolyt zkoumány tenké vrstvy skelného systému Ag/Ge-Ga-S. Objemové vzorky o složení Ge28-xGaxS72 byly připraveny přímou syntézou z velmi čistých prvků. Z daných skel byly pulzní laserovou depozicí připraveny 4 řady tenkých vrstev o tloušťkách 500-700nm. Připravené vrstvy byly charakterizovány několika technikami a následně podrobeny opticky indukované difúzi Ag. Studie změn ve struktuře a optických vlastnostech dopovaných Ag-Ge28-xGaxS72 tenkých vrstev ukazují maximální množství rozpuštěného Ag, gradaci indexu lomu a posun v transmitanci.	amorfní chalkogenidy; Ge-Ga-S; difúze stříbra; tenké vrstvy