Univerzita PardubiceFakulta chemicko- technologická

Univerzita Pardubice

Zaměstnanci
|
Studenti
English

Publikace detail

Opticky indukovaná difúze Ag do tenkých amorfních vrstev systému Ge-Ga-S

Autoři: Valkova Silviya | Wágner Tomáš | Pavlišta Martin | Přikryl Jan | Vlček Milan | Beneš Ludvík | Krbal Miloš

Rok: 2014

Druh publikace: ostatní - přednáška nebo poster

Strana od-do: nestránkováno

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Opticky indukovaná difúze Ag do tenkých amorfních vrstev systému Ge-Ga-S	Jedním z nejrychleji se vyvíjejících odvětví nových informačních technologií, je výzkum moderních paměťových systémů. CBRAM (Conductive bridging random access memory) jsou paměťi se spínáním přes vodivé můstky2, které používají vysokou iontovou vodivost některých materiálů (Ag, Cu), vysoce rozpustných v pevných elektrolytech. Jedním z důležitých faktorů, které určují kvalitu paměti, je zde výběr vhodného elektrolytu. V této práci byly jako potenciální elektrolyt zkoumány tenké vrstvy skelného systému Ag/Ge-Ga-S. Přímou syntézou z velmi čistých prvků byly připraveny objemové vzorky o složení Ge28-xGaxS72. Metodou PLD byly z daných objemových vzorků připraveny řady tenkých vrstev o různých tloušťkách a různém obsahu Ga. Připravené tenké vrstvy byly charakterizovány a následně podrobeny opticky indukované difúzi Ag. Studie změn ve struktuře a optických vlastnostech dopovaných Ag/Ge28-xGaxS72 tenkých vrstev ukazují maximální množství rozpuštěného Ag vzhledem k tloušťce vrstev a obsahu Ga ve skelné matrici.	Opticky indukovaná difúze; tenké vrstvy; Ge-Ga-S; difúze stříbra