Publikace detail

Down-scaling of resistive switching to nanoscale using porous anodic alumina membranes

Autoři: Kolář Jakub | Macák Jan | Terabe Kazuya | Wágner Tomáš

Rok: 2014

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Materials Chemistry C

Název nakladatele: Royal Society of Chemistry

Místo vydání: Cambridge

Strana od-do: 349-355

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Odporové spínání k nanoúrovni použitím porézních membrán anodického oxidu hlinitého	Článek popisuje pokročilý přístup v přípravě paměťových buněk s využitím membrán z Al2O3. Tento nový přístup vedl k velkému rozdílu odporů mezi stavy zapnuto-vypnuto. Paměťové buňy jsou tvořeny stříbrem vyplněných Al2O3 nanostruktur pokrytých vrstvou iontového vodiče o složení AgxAsS2. Tento postup může přinést funkčnost i dalším iontově vodivým materiálům.	Odporové spínání; nanoměřítko; anodický oxid hlinitý; AAO
eng	Down-scaling of resistive switching to nanoscale using porous anodic alumina membranes	An advanced approach for resistive switching memory cells based on porous anodic alumina (Al2O3) membrane is reported. The effective resistive switching resulting in 6 orders of magnitude difference in resistivity between “on” and “off” state of the cell is achieved by specific electronic and ionic interaction between Ag nanowires filled in the membrane and an ionic conductor (AgxAsS2) deposited on the membrane by thermal evaporation. This easy and robust approach that can be exploited for deposition of other ionic conductors for novel types of memories.	resistive switching; nanoscale; anodic aluminium oxide; AAO

Vyhledávání