Publikace detail

Laser desorption ionization time-of-flight mass spectrometry of Ge-As-Te chalcogenides

Rok: 2015

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Rapid Communication in Mass Spectrometry

Název nakladatele: John Wiley & Sons Ltd.

Místo vydání: Chichester

Strana od-do: 408-414

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Time-of-flight hmotnostní spektrometrie chalkogenidů Ge-As-Te pomocí ionizace laserovou desorpcí	LDI-TOF-MS prášků Ge-As-Te prokázala vznik jak pozitivně, tak negativně nabitých klastrů, jejichž stechiometrie byla určena jako Ten(+/-) (n = 1-4), Te-5(+), binární AsTen+/- (n = 1-3), GeTen+/- (n = 1-3), As2Te+/-, As2Te3+, As3Te+, AsTe4+, Ge2H6+/-, ternární GeAsTe+, GeAsTe2+/-, GeAsH5+, GeAsH6+, GeAsH12+, and kvaternární GeAsTeH5-, GeAsTeH8-, GeAsTe2H3+/-. Lokální struktura GexAsyTez materiálů je alespoň částečně odlišná od struktury částic identifikovaných v plazmatu pomocí hmotnostní spektrometrie, jak je zřejmé z analýzy Ramanovy spektroskopie. Přesto byla technika LDI-TOFMS uznána za vhodnou techniku pro částečnou charakterizaci struktury objemových vzorků Ge-As-Te a obzvláště pro identifikaci strukturních motivů přítomných v plazmatu v průběhu přípravy odpovídajících tenkých vrstev.	chalkogenidová skla; amorfní chalkogenidy; struktura; hmotnostní spektrometrie
eng	Laser desorption ionization time-of-flight mass spectrometry of Ge-As-Te chalcogenides	LDI-TOF-MS of Ge-As-Te powders provided evidence for the formation of both positively and negatively charged clusters, whose stoichiometry was determined as Ten(+/-) (n = 1-4), Te-5(+), binary AsTen+/- (n = 1-3), GeTen+/- (n = 1-3), As2Te+/-, As2Te3+, As3Te+, AsTe4+, Ge2H6+/-, ternary GeAsTe+, GeAsTe2+/-, GeAsH5+, GeAsH6+, GeAsH12+, and tertiary GeAsTeH5-, GeAsTeH8-, GeAsTe2H3+/-. The local structure of GexAsyTez materials is at least partly different from that of species identified in plasma by mass spectrometry, as deduced from Raman scattering spectroscopy analysis. However, LDI-TOFMS was found to be a suitable technique for the partial structure characterization of Ge-As-Te bulk samples and especially for the identification of the structural motifs present in the plasma during the preparation of the corresponding thin films.	chalcogenide glasses; amorphous chalcogenides; structure; mass spectrometry

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte