Publikace detail

Photosensitivity of pulsed laser deposited Ge-Sb-Se thin films

Rok: 2015

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Optical Materials Express

Název nakladatele: Optical Society of America

Místo vydání: Washington, DC

Strana od-do: 781-793

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Fotocitlivost tenkých vrstev Ge-Sb-Se deponovaných pulzním laserem	Pulzní laserová depozice byla použita pro přípravu tenkých amorfních vrstev ze systému (GeSe2)(100-x) (Sb2Se3)(x), kde se x mění od 0 do 60. Pro studii jejich fotocitlivosti vůči záření s energií blízkou šířce zakázaného pásu bylo provedeno porovnání jejich optických vlastností (index lomu a šířka zakázaného pásu energií) před a po expozici jak v panenském stavu, tak ve stavu relaxovaném temperací. Temperované vrstvy jsou fotostabilní v lineárním režimu pro x >= 30. V nelineárním režimu byly nalezeny nejvyšší hodnoty intenzit prahu fotoindukovaných změn pro vrstvy s x = 10, 16.7 a x = 30, 40. Nejvyšší fotostabilita v obou režimech byla tedy pozorována pro vrstvy s x = 30 a 40. Na základě výsledků Ramanovy spektroskopie je diskutována struktura vrstev.	amorfní chalkogenidy; tenké vrstvy; pulzní laserová depozice; fotocitlivost
eng	Photosensitivity of pulsed laser deposited Ge-Sb-Se thin films	Pulsed laser deposition was used to prepare amorphous thin films from (GeSe2)(100-x) (Sb2Se3)(x) system, where x is varying from 0 to 60. To study their photosensitivity under irradiation with energy close to band gap, a comparison of their optical properties (refractive index and band gap energy) before and after irradiation is performed in both, as-deposited and annealed states. In linear regime, annealed films seem to be photostable when x >= 30. In nonlinear regime, highest photoinduced threshold intensity values were found for films with x = 10, 16.7 and x = 30, 40. Thus, the highest photostability in both, linear and nonlinear regimes of irradiation, was observed for layers with x = 30 and 40. The structure of the films is discussed based on Raman scattering spectroscopy results.	amorphous chalcogenides; thin films; pulsed laser deposition; photosensitivity

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte