Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Thermoelectric propertiesof Ni-doped CuInTe2
Rok: 2015
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Journal of Physics and Chemistry of Solids
Strana od-do: 18-23
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Termoelektrické vlastnosti niklem dotovaného CuInTe2 Z prvků polovodičové čistoty byly reakcí v tuhé fázi připraveny polykrystalické vzorky složení Cu1-xNixInTe2 (for x = 0 – 0.05). Fázová čistota připravených vzorků byla ověřena pomocí práškové rentgenové difrakční analýzy. Vzorky k transportním měřením byly připraveny metodou lisování za tepla. Vzorky byly dále charakterizovány měřením měrné elektrické vodivost, Seebeckova koeficientu, Hallova koeficientu a teplotní vodivosti v intervalu teplot od 300 do 675K. Všechny připravené vzorky vykazují P-typ elektrické vodivosti. V publikaci je diskutován vliv dotace niklu na koncentraci volných nositelů proudu a termoelektrické vlastnosti. Vyšetření termoelektrický vlastností ukazuje u niklem dotovaných vzorků až 50% zvýšení parametru ZT v teplotním intervalu 300 až 600K. polovodiče; chalkogenidy; rentgenová difrakční analýza; transportní vlastnosti
eng Thermoelectric propertiesof Ni-doped CuInTe2 Polycrystalline samples of composition Cu1-xNixInTe2 (for x = 0 – 0.05) were synthesized from elements of 5N purity using a solid-state reaction. The phase purity of the products was verified by X-ray diffraction. Samples for measurement of the transport properties were prepared using hot-pressing. The samples were then characterized by the measurement of electrical conductivity, the Hall coefficient, the Seebeck coefficient, and the thermal conductivity over a temperature range of 300 – 675 K. All of the samples demonstrate p-type conductivity. We discuss the influence of Ni substitution on the free carrier concentration and the thermoelectric performance. The investigation of the thermoelectric properties shows an improvement up to 50% improvement of ZT in the temperature range of 300 – 600 K. semiconductors; chalcogenides; X-ray diffraction; transport properties

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

zobrazit na mapy.cz

Služby

Často hledáte

© 2023 Univerzita Pardubice, Studentská 95, 532 10 Pardubice 2
Telefon: 466 036 111, 466 036 112, 466 036 113
Správce webu, RSS
ID datové schránky: f5vj9hu
Prohlášení o přístupnosti
CC BY-NC-ND 4.0 CZCreative CommonsAttributionNonCommercialNoDerivatives