Univerzita Pardubice Fakulta chemicko- technologická

Univerzita Pardubice

Zaměstnanci
|
Studenti
English

Publikace detail

Thermoelectric propertiesof Ni-doped CuInTe2

Autoři: Kucek Vladimír | Drašar Čestmír | Navrátil Jiří | Plecháček Tomáš | Beneš Ludvík

Rok: 2015

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Physics and Chemistry of Solids

Strana od-do: 18-23

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Termoelektrické vlastnosti niklem dotovaného CuInTe2	Z prvků polovodičové čistoty byly reakcí v tuhé fázi připraveny polykrystalické vzorky složení Cu1-xNixInTe2 (for x = 0 – 0.05). Fázová čistota připravených vzorků byla ověřena pomocí práškové rentgenové difrakční analýzy. Vzorky k transportním měřením byly připraveny metodou lisování za tepla. Vzorky byly dále charakterizovány měřením měrné elektrické vodivost, Seebeckova koeficientu, Hallova koeficientu a teplotní vodivosti v intervalu teplot od 300 do 675K. Všechny připravené vzorky vykazují P-typ elektrické vodivosti. V publikaci je diskutován vliv dotace niklu na koncentraci volných nositelů proudu a termoelektrické vlastnosti. Vyšetření termoelektrický vlastností ukazuje u niklem dotovaných vzorků až 50% zvýšení parametru ZT v teplotním intervalu 300 až 600K.	polovodiče; chalkogenidy; rentgenová difrakční analýza; transportní vlastnosti
eng	Thermoelectric propertiesof Ni-doped CuInTe2	Polycrystalline samples of composition Cu1-xNixInTe2 (for x = 0 – 0.05) were synthesized from elements of 5N purity using a solid-state reaction. The phase purity of the products was verified by X-ray diffraction. Samples for measurement of the transport properties were prepared using hot-pressing. The samples were then characterized by the measurement of electrical conductivity, the Hall coefficient, the Seebeck coefficient, and the thermal conductivity over a temperature range of 300 – 675 K. All of the samples demonstrate p-type conductivity. We discuss the influence of Ni substitution on the free carrier concentration and the thermoelectric performance. The investigation of the thermoelectric properties shows an improvement up to 50% improvement of ZT in the temperature range of 300 – 600 K.	semiconductors; chalcogenides; X-ray diffraction; transport properties