Publikace detail

Penn gap rule in phase-change memory materials: No clear evidence for resonance bonds

Autoři: Shimakawa Koichi | Střižík Lukáš | Wágner Tomáš | Frumar Miloslav

Rok: 2015

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: APL Materials

Název nakladatele: American Institute of Physics

Místo vydání: Melville

Strana od-do: "041801-1"-"041801-5"

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Pennův model v paměťových materiálech založených na změně fází: Žádný zřetelný důkaz potvrzující rezonanční vazby	Ačkoli byl předložen návrh rezonančních vazeb v krystalických Ge-Sb-Te paměťových materiálech, nebyl nalezen žádný důkaz, který by to potvrzoval. Elipsometrická studie demonstruje, že změna dielektrické konstanty ε∞ v oblasti vyšších frekvencí mezi amorfním a krystalickým stavem odpovídá průměrné optické šířce zakázaného pásu (Pennův model). Dokonce vrstva čistého antimonu, považovaného za prototyp rezonančně vázaného materiálu, bylo nalezeno, že změny v ε∞ korespondují s Pennovým modelem. Experimentálně nebyla nalezena žádná významná změna optického maticového elementu během fázového přechodu, která je nezbytná pro podporu myšlenky rezonančních vazeb.	polovodiče; krystalické; počet
eng	Penn gap rule in phase-change memory materials: No clear evidence for resonance bonds	Although a proposal of resonance bonds in crystalline phase-change materials based on the GeSbTe system has been provided, we do not find any clear evidence in favor of the proposal. The ellipsometric study demonstrates that a change in the high frequency dielectric constant epsilon(infinity) between the amorphous and crystalline phases is only scaled by the average bandgap (the Penn gap rule). Even for a pure antimony film, regarded as a prototype resonance bonding material, epsilon(infinity) was found to follow the Penn gap rule. Experimentally, we did not find any evidence of a significant change in the optical transition matrix element during the phase change, which is necessary to support the idea of resonance bonds.	semiconductors; crystalline; number

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte