Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Luminescence at 2.8 µm: Er3+-doped chalcogenide micro-waveguide
Autoři: Nazabal Virginie | Starecki F. | Doualan J. -L. | Němec Petr | Camy P. | Lhermite H. | Bodiou L. | Anne M. L. | Charrier J. | Adam J. L.
Rok: 2016
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Optical Materials
Název nakladatele: Elsevier Science BV
Místo vydání: Amsterdam
Strana od-do: 390-397
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Luminiscence při 2,8 µm: Er3+-dopovaný chalkogenidový vlnovod Tento článek popisuje přípravu luminiscenčních optických žebrových/hřebenových vlnovodů v tenkých vrstvách Ga-Ge-Sb-S dopovaných erbiem deponovaných RF magnetronovým naprašováním. Ve vrstvách bylo jasně pozorováno několik emisí Er3+ iontů od viditelné po střední infračervenou oblast spektra. Studium doby života stavu 4I(13/2) umožnilo vývoj vhodných podmínek temperace vrstev za účelem dosažení hodnoty objemového protějšku při zachování nízké drsnosti povrchu a rozumných optických ztrát (0,7-0,9 dB/cm). Experimenty v oblasti zesílení byly provedeny při 1,54 µm. Fotoluminiscence Er3+ dopovaných chalkogenidových mikrovlnovodů ve střední infračervené oblasti spektra byla demonstrována při 2,76 µm. materiály dopované vzácnými zeminami; amorfní chalkogenidy; tenké vrstvy; vlnovod; luminiscence
eng Luminescence at 2.8 µm: Er3+-doped chalcogenide micro-waveguide This paper reports the fabrication of luminescent optical rib/ridge waveguides made of erbium doped Ga-Ge-Sb-S films deposited by RF magnetron sputtering. Several fluorescence emissions of Er3+ ions from the visible to the middle infrared spectral domain were clearly observed within the films. The study of the 4I(13/2) level lifetime enabled development of a suitable annealing treatment of the films to reach the value of the bulk counterpart while the variation in surface roughness was limited, thus ensuring reasonable optical losses (0.7-0.9 dB/cm). Amplification experiments were carried out at 1.54 µm leading to complete characterization of the erbium-doped micro-waveguide with 3.4 dB/cm on/off gain. A demonstration of mid-IR photoluminescence from Er3+-doped chalcogenide micro-waveguide was recorded at 2.76 µm. The multi-luminescence from the visible to mid-IR generated using erbium doped chalcogenide waveguiding micro-structures might find easy-to-use applications concerning telecommunication technologies or on-chip optical sensors for which luminescent sources or amplifiers operating at different wavelengths are required. Rare-earth doped materials; Amorphous chalcogenides; Thin films; Waveguide; Luminescence