Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Electrochemical metallization cells based on Ag-Ge-S and Ag-Ge-Ga-S electrolytes
Autoři: Valkova Silviya | Wágner Tomáš | Přikryl Jan
Rok: 2016
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Chalcogenide Letters
Strana od-do: 139-144
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Elektrochemické metalizační cely založené na Ag-Ge-S a Ag-Ge-Ga-S elektrolytech Elektrochemické metalizační cely (EMC) jsou založené na elektrochemickém růstu a odstranění metalických nanovláken v tenkovrstvém pevnolátkovém elektrolytu. EMC má velký příslib k nahrazení konvenčních paměťových technologií. Má nízké programovací proudy a napětí a menší velikost, které mohou být použity k uchovávání více dat na malé ploše. V této práci byly připraveny ITO/Ag-GeS/Ag a ITO/Ag-GeGaS/Ag paměťové buňky ke studiu vlivu zabudování Ga do skelné elektrolytické matrice Ge-S a studiu jejich spínacích charakteristik. Propustnost ITO vrstev byla využita pro aplikaci OIDD procesu, který může být použit jako metoda stabilizace buněk pro spínání. EMC paměti; tenké vrstvy; amorfní chalkogenidy
eng Electrochemical metallization cells based on Ag-Ge-S and Ag-Ge-Ga-S electrolytes Electrochemical metallization cells (EMC) are based on the electrochemical growth and removal of nanoscale metallic filaments in thin films of solid elektrolyte. EMC shows a great promise to replace conventional data storage technologies. It has low programming current and voltage and smaller sizes that can be seen as a way to store more data in small space. In this work ITO/Ag-GeS/Ag and ITO/Ag-GeGaS/Ag memory cells were prepared to study an influence of incorporation of Ga into glassy backbone matrix of Ge-S electrolyte and iťs switching characteristics. The transparency of ITO films was used for application of OIDD process that can be seen as a method to stabilize cells switching. EMC memories; thin films; amorphous chalcogenides