Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Dopovací studie SnSe
Rok: 2016
Druh publikace: článek ve sborníku
Název zdroje: Studentská vědecká odborná činnost 2015/2016 : sborník příspěvků
Název nakladatele: Univerzita Pardubice
Místo vydání: Pardubice
Strana od-do: 173-178
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Dopovací studie SnSe Primárním cílem této práce bylo vyšetřit chování arsenu a yttria jako dopantů v SnSe, a dále se pokusit zvýšit hodnotu jeho parametru ZT. Arsen byl do matrice zabudován na místo po selenu, yttrium na místo po cínu. U obou ternárních sloučenin pozorujeme pokles elektrické vodivosti oproti nedopovanému materiálu. Díky nárůstu elektrické vodivosti (450-550 K) a poklesu tepelné vodivosti u vzorků dopovaných arsenem došlo k nárůstu ZT parametru těchto vzorků v oboru teplot 450-550 K. U vzorků dopovaných yttriem sice došlo k poklesu tepelné vodivosti, ale ZT parametr nevzrostl. Naopak došlo k jeho poklesu.
eng Doping study of SnSe The primary objective of this study was to investigate the behavior of arsenic and yttrium as dopants in SnSe, and try to increase the value of the parameter ZT. Arsenic has been incorporated into the matrix in place after selenium, yttrium in place after the tin. Both ternary compounds observed decrease in electrical conductivity compared to undoped material. With the increase of electrical conductivity (450 to 550 K) and a decrease in thermal conductivity for samples doped with arsenic increased ZT parameter of samples in the temperature range from 450 to 550 K. Although the samples doped with yttrium decreased thermal conductivity,they did not increase ZT parameter. On the contrary, it dropped. thermoelectric properties; SnSe; electrical properties; doping study