Publikace detail

DOPOVACÍ STUDIE VLIVU THALLIA NA VLASTNOSTI SnSe

Autoři: Šmatelka Filip | Kucek Vladimír | Drašar Čestmír

Rok: 2016

Druh publikace: článek ve sborníku

Název zdroje: Studentská vědecká odborná činnost 2015/2016 : sborník příspěvků

Název nakladatele: Univerzita Pardubice

Místo vydání: Pardubice

Strana od-do: 161-166

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	DOPOVACÍ STUDIE VLIVU THALLIA NA VLASTNOSTI SnSe	V této práci bylo připraveno a charakterizováno sedm polykrystalických vzorků o rozdílné koncentraci Tl v řadě Sn1-xTlxSe, kde x = 0 ÷ 0,005. Cílem bylo zvýšit koncentraci volných nositelů proudu - děr, a vyšetřit efektivitu dopování a vliv dopování na TE vlastnosti. Námi naměřené teplotní závislosti termoelektrických vlastností materiálu poukazují na to, že thallium skutečně výrazně zlepší termoelektrické vlastnosti čistého materiálu, obzvláště pak při vyšších teplotách. Efektivita dopování prudce klesá s koncentrací Tl z » 0,76 pro x = 0,0001 až k » 0,11 pro x = 0,02.	SnSe; termoelektrické vlastnosti
eng	Thallium doping study of influence on properties SnSe	In this work we were prepared and characterized by seven polycrystalline samples by Tl varying concentrations in a number SN1-xTlxSe, where x = 0 to 0.005. The aim was to increase the concentration of free current carriers - holes, and to investigate the effectiveness of doping and the effect of doping on TE properties. We measured the temperature dependence of thermoelectric material properties indicate that thallium actually significantly improve the thermoelectric properties of the pure material, especially at elevated temperatures. Doping efficiency rapidly decreases with concentration of Tl »0.76 x = 0.0001 and k» 0.11 to x = 0.02.	SnSe; thermoelectric properties

Search