Publikace detail

The saturation of interband Faraday rotation in Bi2Se3

Rok: 2017

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: EPL

Název nakladatele: Institute of Physics Publishing Ltd

Místo vydání: Bristol

Strana od-do: "47006-1"-"47006-6"

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Nasycená mezipásová Faradayova rotace v Bi2Se3	Podle posledních výzkumů vykazuje selenid bismutitý, jenž je výsadním topologickým izolátorem, mimořádně silnou Faradayovu rotaci. Ukazuje se, že tento efekt je spojen s excitací elektronů z valenčního do vodivostního pásu, kde jsou elektrony částečně spinově polarizované.v důsledku Zeemanova jevu. V tomto článku studujeme Faradayovu rotaci ve velmi vysokých magnetických polích, při kterých jsou elektrony ve vodivostním pásu plně spinově polarizované. Výsledky ukazují, že za těchto podmínek je Faradayův úhel téměř nezávislý na velikosti magnetického pole B. To je v rozporu s výsledky měření v nízkých magnetických polích, kde je Faradayův úhel lineárně závislý na B, a může tedy být popsán klasickým Verdetovým zákonem.	3D topologické izolátory; Bi2Se3; polovodiče; pevné látky
eng	The saturation of interband Faraday rotation in Bi2Se3	Bismuth selenide - the prominent topological insulator - has been recently reported as a material exhibiting an extraordinary strong Faraday rotation. This effect has been identified as due to interband excitations in bulk promoting electrons from the valence to the conduction band, in which the electron gas is partially spin-polarized due to the Zeeman effect. In this work, we test the Faraday rotation in Bi2Se3 in high magnetic fields, when the conduction band electrons reach their full spin polarization. We find that the Faraday angle becomes in this regime almost independent of the applied magnetic field. This contrasts with the Faraday effect observed in this system at low magnetic fields, where the Faraday angle scales linearly with B and may thus be described by a conventional Verdet law.	3d topological insulator;Bi2Se3; semiconductors; solids

Search

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte