Publikace detail

Surface patterning in Ge-Se amorphous layers

Rok: 2017

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Non-Crystalline Solids

Název nakladatele: Elsevier Science BV

Místo vydání: Amsterdam

Strana od-do: 51-56

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Vzorování povrchu v amorfních vrstvách Ge-Se	Byly studovány kompoziční závislosti a závislost na metodě přípravy tvorby laserem indukovaných geometrických povrchových reliéfů v amorfních vrstvách Ge-Se s cílem určit možnou roli výchozích podmínek v mechanismu a účinnosti optického záznamu. Výsledky ukazují, že pulzní laserová depozice má některé výhody jako zachování složení a tvorbu povrchových reliéfů (ve srovnání s termálním napařováním) pro přípravu vrstev s vysokou citlivostí a účinností tvorby povrchových reliéfů (mřížek), zvláště ve vrstvách se složením Ge24Se76. Bylo ukázáno, že modulační hloubka vytvořených povrchových struktur v amorfních chalkogenidových vrstvách Ge-Se roste s rostoucím obsahem Se. Temperace má zásadní vliv na parametry záznamu, což umožňuje další náhled na možné mechanismy světlem indukovaného vzorování povrchu v tomto typu na světlo citlivých amorfních chalkogenidů. Ramanova spektroskopie byla použita pro identifikaci lokální struktury připravených vzorů povrchu.	amorfní chalkogenidy; Ge-Se systém; tenké vrstvy; světlem indukované vzorování povrchu; Ramanova spektroskopie
eng	Surface patterning in Ge-Se amorphous layers	Compositional and fabrication method dependences of laser-induced geometrical surface relief formation in Ge-Se amorphous layers were investigated with the aim to determine the possible role of initial conditions in the mechanism and efficiency of optical recording. The results show that pulsed laser deposition has some advantages in composition preservation and surface relief formation in comparison with thermal evaporation for producing layers with high sensitivity and efficiency of surface relief grating formation, especially in layers with Ge24Se76 composition. It was shown that modulation depth of the created surface structures increases with increasing Se content in Ge-Se amorphous chalcogenide layers. Thermal annealing has essential influence on the recording parameters, enabling additional insight into the possible mechanisms of light induced surface patterning in this type of light-sensitive amorphous chalcogenides. Raman spectroscopy was used to identify local structure of produced surface patterns.	Amorphous chalcogenides; Ge-Se system; Thin films; Light induced surface patterning; Raman spectroscopy

Search

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte