Univerzita Pardubice Fakulta chemicko- technologická

Univerzita Pardubice

Zaměstnanci
|
Studenti
English

Publikace detail

Exposure enhanced photoluminescence of CdS0.9Se0.1 quantum dots embedded in spin-coated Ge25S75 thin films

Autoři: Šlang Stanislav | Loghina Liudmila | Pálka Karel | Vlček Miroslav

Rok: 2017

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: RSC Advances

Strana od-do: 53830-53838

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Expozicí zvýšená fotoluminescence kvantových teček CdS0.9Se0.1 uložených ve tenkých vrstvách Ge25S75 připravených spin-coatingem	Polovodičové kvantové tečky (QD) jsou známými fotoluminiscenčními materiály. Jejich potenciální praktické aplikace závisí na jejich fyzikálně-chemických a luminiscenčních vlastnostech a také ná vlastnostech hostitelského materiálu. K zajištění zachování fotoluminiscenčních vlastností QD během přípravy vhodné kompozitní formy se nejčastěji využívají roztokové depoziční techniky při nižších teplotách během jejich produkce. V této práci byla dopována anorganická matrice chalkogenidového skla Ge25S75 pomocí syntetizovaných CdS0.9Se0.1 QD a tenké vrstvy byly deponovanány roztokovou metodou spin-coatingu. V porovnáním s běžně využívanými polymery mají tenké vrstvy chalkogenidového skla Ge25S75 vysoký index lomu a širokou oblast optické propustnosti ve VIS-NIR-MIR oblasti spektra. Byla objeven UV expozicí indukovaný nárůst intenzity fotoluminiscence, které může být využit pro lokální fotoindukované vylepšení fotoluminiscence v dopovaných tenkých vrstvách chalkogenidových skel.
eng	Exposure enhanced photoluminescence of CdS0.9Se0.1 quantum dots embedded in spin-coated Ge25S75 thin films	Semiconductor quantum dots (QDs) are well known photoluminescent materials. Their potential practical applications depend on their physico-chemical and luminescent properties and also on the properties of hosting material. To ensure that QDs retain their photoluminescence during the preparation of a suitable solid composite form, the solution based casting techniques with deposition at lower temperatures are usually used. In our work, we have doped an inorganic Ge25S75 chalcogenide glass matrix with synthesized CdS0.9Se0.1 QDs and prepared thin films by the solution based spin-coating technique. In comparison with commonly used polymers the Ge25S75 chalcogenide glass thin films a possess high refractive index and wide VIS-NIR-MIR optical transparent region. We also report on the phenomenon of significant UV exposure induced increase of doped thin film photoluminescence intensity which can be exploited in local photo-induced photoluminescence enhancement of doped chalcogenide glass thin films.	Chalcogenide glass-films; Semiconductor nanocrystals; Optical properties; CdSe nanocrystals; Nanoparticles