Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Ge-Sb-Te phase change memory thin films fabricated by pulsed laser deposition: large (GeTe):(Sb2Te3) ratio
Autoři: Bouška Marek | Pechev S. | Simon Q. | Nazabal Virginie | Gutwirth Jan | Němec Petr
Rok: 2018
Druh publikace: ostatní - přednáška nebo poster
Strana od-do: nestránkováno
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
eng Ge-Sb-Te phase change memory thin films fabricated by pulsed laser deposition: large (GeTe):(Sb2Te3) ratio Ge-Sb-Te phase change memory thin films with large (GeTe):(Sb2Te3) ratio fabricated by pulsed laser deposition were characterized and their properties were discussed.