Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Multi-band magnetotransport in exfoliated thin films of Cu x Bi2Se3
Autoři: Alexander-Webber J. A. | Huang J. | Beilsten-Edmands J | Čermák Patrik | Drašar Čestmír | Nicholas R.J. | Coldea A.I.
Rok: 2018
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Journal of Physics: Condensed Matter
Strana od-do: "155302-1"-"155302-5"
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Více-pásový magnetotransport v exfoliovaných tenkých vrstvách CuxBi2Se3 Pojednáváme o magnetotransportních studiích na tenkých (<100 nm) exfoliovaných vrstvách CuxBi2Se3 a zjišťujeme neobvyklý elektronický přechod při nízkých teplotách. Objemové krystaly vykazují slabou supravodivost s Tc ~ 3,5 K a možný elektronický fázový přechod okolo 200 K. Po exfoliaci je supravodivost potlačena a silně teplotně závislá více-pásová vodivost je pozorována při T < 30 K. Tento přechod mezi konkurenčními vodivostními kanály může být zvýšen kvůli přítomnosti elektronického uspořádání a může být ovlivněn přítomností účinného vnitřního pnutí kvůli interkalaci Cu. Fitováním korekce na slabou nelokalizovanou vodivost při nízkých magnetických polích potvrzujeme, že nízkoteplotní režim udržuje kvantovou fázovou koherenční délku L>100 nm, což indikuje přítomnost topologicky chráněných povrchových stavů. topologický izolátor; více-pásový transport; magnetotransport; CuxBi2Se3
eng Multi-band magnetotransport in exfoliated thin films of Cu x Bi2Se3 We report magnetotransport studies in thin (<100 nm) exfoliated films of Cu x Bi2Se3 and we detect an unusual electronic transition at low temperatures. Bulk crystals show weak superconductivity with K and a possible electronic phase transition around 200 K. Following exfoliation, superconductivity is supressed and a strongly temperature dependent multi-band conductivity is observed for T < 30 K. This transition between competing conducting channels may be enhanced due to the presence of electronic ordering, and could be affected by the presence of an effective internal stress due to Cu intercalation. By fitting to the weak antilocalisation conductivity correction at low magnetic fields we confirm that the low temperature regime maintains a quantum phase coherence length nm indicating the presence of topologically protected surface states. topological insulator; multi-band transport; magnetotransport; CuxBi2Se3; weak localisation