Publikace detail

Vyšetření vlivu Ta na transportní vlastnosti polykrystalického Bi2Se3

Autoři: Kopecká Kateřina | Ruleová Pavlína | Drašar Čestmír

Rok: 2018

Druh publikace: ostatní - článek ve sborníku

Název zdroje: Sborník příspěvků : studentská vědecká odborná činnost 2017/2018

Název nakladatele: Univerzita Pardubice

Místo vydání: Pardubice

Strana od-do: nestránkováno

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Vyšetření vlivu Ta na transportní vlastnosti polykrystalického Bi2Se3	Selenid bismutitý Bi2Se3 patří do skupiny úzkopásových vrstevnatých polovodičů tetradymitové struktury. Přestože je v současné době věnována pozornost Bi2Se3 zejména s cílem připravit nové typy topologických izolátorů požadovaných vlastností, patří mezi klasické materiály, používané v termoelektrických aplikacích v oblasti teplot blízkých 300 K. Cílem předkládané práce bylo vyšetřit, jak je koncentrace volných nositelů proudu Bi2Se3 ovlivněna zabudováním tantalu do jeho krystalové struktury. Konkrétně byla připravena řada polykrystalických vzorků složení Bi2-xTaxSe3 s obsahem dopantu x = 0; 0,005; 0,01; 0,02; 0,03. Vzorky byly charakterizovány RTG difrakční analýzou a měřením teplotních závislostí Hallova koeficientu RH, elektrické vodivosti a Seebeckova koeficientu  v rozmezí teplot 100 – 470 K. Z Hallova koeficientu byla vypočítána koncentrace volných nositelů náboje N, s pomocí elektrické vodivosti byla vypočítána hodnota Hallovy pohyblivosti volných nositelů proudu H a „Výkonový faktor“ PF = . Bylo zjištěno, že příměs Ta-atomů v krystalové struktuře Bi2Se3 má za následek zvýšení koncentrace volných nositelů proudu – volných elektronů. Tento efekt byl vysvětlen za předpokladu vstupu příměsových atomů do intersticiálních poloh krystalové struktury Bi2Se3. S ohledem na vrstevnatý charakter krystalové struktury Bi2Se3, byly uvažovány dva případy tvorby intersticiálních poruch – a sice vstup příměsových atomů buď do 5 atomové vrstvy (SeI Bi SeII Bi SeI) nebo do van der Waalsovy mezery mezi těmito vrstvami, tedy mezi atomy SeI.

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte