Publikace detail

Investigation of an amphoteric behaviour of arsenic dopant in polycrystalline SnSe

Rok: 2018

Druh publikace: ostatní - článek

Název zdroje: Scientific Papers of the University of Pardubice, Series A, Faculty of Chemical Technology

Strana od-do: 87-100

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Studie amfoterního chování arsenového dopantu v polykrystalickém SnSe	Zkoumali jsme případné amfoterní chování atomů As v SnSe nahrazením buď v kationtovém nebo aniontovém místě. Šetření zahrnovalo dvě série polykrystalických vzorků jmenovitého složení Sn1-xAsxSe (0  x  0,1) a SnAsxSe1-x (0  x  0,08). Připravené prášky byly identifikovány rentgenovou difrakcí. Za účelem charakterizace transportních a termoelektrických vlastností v teplotním rozmezí 300 až 730 K byly použity polykrystalické pelety za tepla lisované z prášku. Zdá se, že zabudování atomů As v kationtovém nebo aniontovém místě zabraňuje tvorbě hlavních defektů přítomných v otevřených SnSe, volné pozice VSn 2-. Místo toho volné semeny VSe 2+ spolu se substitučními vadami AsSn + hrají hlavní roli v elektronické dopravě v systému Sn1-xAsxSe. Vzhledem k poměrně nízké rozpustnosti arsenu v systému (x  0,02) se ve vysoce dopovaných vzorcích vytváří buď vměstky As, nebo amorfní fáze As-Se. V případě SnAsxSe1-x, As atomy vstupují do polohy Se tvořící AsSe -, což zvyšuje koncentraci otvorů v dopovaných vzorcích při nižších teplotách. Při vyšších teplotách jsou vlastnosti sloučenin (pro x ≥ 0,03) ovlivněny tvorbou vysoce vodivé fáze AsSn. Obecně platí, že substituce As jak pro anion, tak pro kation nepřináší žádné zřejmé zvýšení termoelektrické hodnoty zásluh ZT.	Selenid cínu; Arsen; Dopování; Termoelektrické vlastnosti
eng	Investigation of an amphoteric behaviour of arsenic dopant in polycrystalline SnSe	We investigated eventual amphoteric behaviour of As atoms in SnSe by substituting in either cation or anion site. The investigation involved two series of polycrystalline samples of nominal composition Sn1-xAsxSe (0  x  0.1) and SnAsxSe1-x (0  x  0.08). The prepared powders were identified by X-ray diffraction. Hot-pressed from powder, polycrystalline pellets were used for characterization of transport and thermoelectric properties in temperature range of 300–730 K. An embedding of the As atoms in either cation or anion site seems to prevent formation of the major defects present in the undoped SnSe, tin vacancies VSn 2-. Instead, selenium vacancies VSe 2+ together with substitutional defects AsSn + play the major role in the electronic transport in the Sn1-xAsxSe system. Due to rather low solubility of arsenic in the system (x  0.02), either As inclusions or amorphous As-Se phase is formed in highly doped samples. In the case of SnAsxSe1-x, As atoms enter Se position forming AsSe -, which increases the hole concentration in the doped samples at lower temperatures. At higher temperatures, the properties of the compounds (for x  0.03) are influenced by the formation of highly conductive AsSn phase. Generally, the substitution of As for both anion and cation lead to no evident enhancement of the thermoelectric figure of merit ZT.	Tin selenide; Arsenic; Doping; Thermoelectric properties

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte