Publikace detail

The mechanism of filament formation in Ag doped Ge–Se resistive switching cell

Autoři: Zhang Bo | Zima Vítězslav | Kutálek Petr | Mikysek Tomáš | Wágner Tomáš

Rok: 2019

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Strana od-do: 2459-2463

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Mechanizmus tvorby vlákna v Ge-Se odporové spínací buňce dotované stříbrem	Elektrolyt v pevném stavu AgGeSe2 byl zkoumán při přepínání odporů. Podle vztahu I-V jsou použity možné mechanismy, včetně modelu SCLC (space-charge-limited-current), který vysvětluje výsledek experimentů. Zjistilo se, že tvorba vodivých vláken souvisí se Schottkyho bariérou mezi elektrodou a elektrolytem.	tvorba vlákna; Ge-Se spínací buňka; dotované Ag
eng	The mechanism of filament formation in Ag doped Ge–Se resistive switching cell	The AgGeSe2 solid state electrolyte has been studied in resistive switching. According to the I–V relationship, the possible mechanisms, including the SCLC (space-charge-limited current) model is applied to explain the result of experiments. The conductive filament formation is found to be related to the Schottky barrier between the electrode and electrolyte.	filament formation; Ag doped; Ge–Se switching; cell

Search