Publikace detail

2D GeSe2 amorphous monolayer

Rok: 2019

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Pure and Applied Chemistry

Název nakladatele: Walter de Gruyter GmbH & Co. KG

Místo vydání: Berlin

Strana od-do: 1787-1796

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	2D GeSe2 amorfní monovrstvy	V tomto článku byly připraveny tenké vrstvy GeSe2 a skleněný ingot ve vrstvené struktuře. Následně byly získány 2D amorfní monovrstvy z vrstveného tenkého filmu a vrstveného skleněného ingotu. Tloušťky monovrstev z tenkého filmu se pohybují od 1,5 nm do 5 nm. Tloušťka monovrstvy ze skleněného ingotu je 7 um. Rychlé ochlazování materiálu má za následek vytvoření samořízených monovrstev. V případě tenkého filmu jsou vrstvy spojeny s „můstkem“. Po dopingu Ag srážení nanočástic exfoliatizuje sousední monovrstvy, které lze dále dispergovat leptáním Ag částic. V případě skleněného ingotu se složení mění o 1% mezi sousedními monovrstvami podle spektra EDX (rentgenová spektroskopie dispergující energii). A skleněnou 2D monovrstvu lze mechanicky odloupnout ze skleněného ingotu.	2D amorfní chalkogenidy
eng	2D GeSe2 amorphous monolayer	In this paper, GeSe2 thin film and glass ingot were prepared in a layered structure. Subsequently, the 2D amorphous monolayers were achieved from layered thin film and layered glass ingot. The thicknesses of monolayers from thin film range from 1.5 nm to 5 nm. And the thickness of monolayer from glass ingot is 7 mu m. The fast cooling of material results in the formation of self-assembled monolayers. In the case of thin film, layers are connected with "bridge". After doping of Ag, the precipitation of nano particles exfoliates the adjacent monolayers which can be further dispersed by etching of Ag particles. In the case of glass ingot, the composition changes at 1% between adjacent monolayers, according to EDX (energy-dispersive X-ray spectroscopy) spectra. And the glass 2D monolayer can be mechanically peeled off from the glass ingot.	2D amorphous chalcogenide;

Search

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte