Publikace detail

The Influence of Halogenated Hypercarbon on Crystal Packing in the Series of 1-Ph-2-X-1,2-dicarba-closo-dodecaboranes (X = F, Cl, Br, I)

Rok: 2020

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Molecules

Název nakladatele: MDPI

Místo vydání: BASEL

Strana od-do: 1200

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Vliv halogenovaného hyperkarbonu na balení krystalů v sérii 1-Ph-2-X-1,2-dicarba-closo-dodekaboranů (X = F, Cl, Br, I)	Přestože byly deriváty 1-Ph-2-X-closo-1,2-C2B10H10 (X = F, Cl, Br, I) vypočteny tak, aby měly kladné hodnoty formovacího tepla, bylo možné je připravit. Odpovídající polovodičové struktury byly výpočtově analyzovány. Výpočty elektrostatického potenciálu ukázaly přítomnost vysoce pozitivních sigma-děr v případě těžkých halogenů. Překvapivě bylo zjištěno, že interakce halogenů středová tečka středová tečka středová tečka středová tečka pi tvořená atomem Br je příznivější než interakce I.	Vliv; halogenovaného; hyperkarbonu; balení; krystalů; sérii; 1-Ph-2-X-1,2-dicarba-closo-dodekaboranů
eng	The Influence of Halogenated Hypercarbon on Crystal Packing in the Series of 1-Ph-2-X-1,2-dicarba-closo-dodecaboranes (X = F, Cl, Br, I)	Although 1-Ph-2-X-closo-1,2-C2B10H10 (X = F, Cl, Br, I) derivatives had been computed to have positive values of the heat of formation, it was possible to prepare them. The corresponding solid-state structures were computationally analyzed. Electrostatic potential computations indicated the presence of highly positive sigma -holes in the case of heavy halogens. Surprisingly, the halogen center dot center dot center dot pi interaction formed by the Br atom was found to be more favorable than that of I.	sigma hole; halogen bond; icosahedral boron cluster

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte