Publikace detail

Amorphous Ga-Sb-Se thin films fabricated by co-sputtering

Rok: 2020

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Optics Letters

Název nakladatele: Optical Society of America

Místo vydání: Washington, DC

Strana od-do: 29-32

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Amorfní tenké vrstvy Ga-Sb-Se připravené vícekatodovým naprašováním	Tato práce se zabývá optickými vlastnostmi a fotocitlivostí tenkých vrstev Ga-Sb-Se deponovaných vícekatodovým naprašováním umožňujícím připravit amorfní tenké vrstvy mimo oblast sklotvornosti. Použitím Ga2Se3 a Sb2Se3 naprašovacích terčů je možno u připravených vrstev spolehlivě pokrýt optickou šířku zakázaného pásu energií v rozsahu 1,92-1,35 eV s odpovídajícím indexem lomu při 1550 nm v rozsahu od 2,47 do 3,33 m. Expozice světlem s energií blízkou šířce zakázaného pásu energií v atmosféře čistého argonu vede u připravených tenkých vrstev k nereverzibilnímu jevu fotosvětlání. Velikost tohoto jevu se monotónně zmenšuje s rostoucím obsahem antimonu.	amorfní chalkogenidy; tenké vrstvy; fotocitlivost
eng	Amorphous Ga-Sb-Se thin films fabricated by co-sputtering	This work deals with the optical properties and photosensitivity of Ga-Sb-Se thin films deposited by cosputtering, enabling to fabricate amorphous thin films outside the glass-forming region. The optical bandgap range of 1.92-1.35 eV with corresponding refractive indices at 1550 nm ranging from 2.47 to 3.33 can be reliably covered using Ga2Se3 and Sb2Se3 targets. Furthermore, the prolonged irradiation by the near-bandgap light under the pure argon atmosphere leads to the irreversible photo-bleaching effect in fabricated films. The magnitude of this effect decreases monotonically with an increasing antimony content.	amorphous chalcogenides; thin films; photosensitivity

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte