Publikace detail

GaTe-Sb2Te3 thin-films phase change characteristics

Rok: 2020

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Optics Letters

Název nakladatele: Optical Society of America

Místo vydání: Washington, DC

Strana od-do: 1067-1070

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Charakteristiky fázových změn v tenkých vrstvách GaTe-Sb2Te3	Radiofrekvenční magnetronové vícekatodové naprašování s využitím terčů GaTe a Sb2Te3 bylo použito pro přípravu tenkých vrstev Ga-Sb-Te. Připravené vrstvy pokrývají širokou oblast chemického složení (~10.0-26.3 at. % Ga, ~19.9-34.4 at. % Sb) při dosti konstantním obsahu Te (53.8-55.6 at. % Te). Při krystalizaci indukované temperací byly nalezeny velké změny v elektrickém odporu, zvláště pro vrstvu Ga26.3Sb19.9Te33.8. Fázová změna z amorfního do krystalického stavu dále vede k velkým změnám optických funkcí, jak bylo demonstrováno hodnotami optického kontrastu dosahující až 4.20 pro složení Ga26.3Sb19.9Te53.8.	chalkogenidy; tenké vrstvy; vícekatodové naprašování; telluridy
eng	GaTe-Sb2Te3 thin-films phase change characteristics	A radio frequency magnetron co-sputtering technique exploiting GaTe and Sb2Te3 targets was used for the fabrication of Ga-Sb-Te thin films. Prepared layers cover broad region of chemical composition (~10.0-26.3 at. % of Ga, ~19.9-34.4 at. % of Sb) while keeping Te content fairly constant (53.8-55.6 at. % of Te). Upon crystallization induced by annealing, large variations in electrical resistivity were found, especially for the Ga26.3Sb19.9Te33.8 layer. Phase transition from the amorphous to crystalline state further leads to huge changes of optical functions demonstrated by optical contrast values up to 4.20 for Ga26.3Sb19.9Te53.8 composition.	chalcogenides; thin films; co-sputtering; tellurides

Search

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte