Publikace detail

Radio-frequency sputtering fabrication of chalcogenide-based Er3+-doped vertical optical cavities for near-infrared operation

Rok: 2020

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Optical Materials Express

Název nakladatele: Optical Society of America

Místo vydání: Washington, DC

Strana od-do: 2500-2512

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Příprava Er3+ dotovaných vertikálních optických kavit pro blízkou infračervenou oblast na bázi chalkogenidů pomocí radiofrekvenčního naprašování	Braggova zrcadla chalkogenid-oxid a 1-D vertikální kavita pro práci při 1.55 mikrometru byly navrženy a připraveny pomocí radiofrekvenčního naprašování. Braggova zrcadla byla připravena opakováním vrstev Al2O3 a As2Se3 a kavita byla získána pomocí vrstvy Ga5Ge20Sb10S65:Er3+. Vlastnosti vrstev byly určeny elipsometrií a SEM. Transmisní spektroskopie potvrdila vznik dobře definovaného stop pásu kolem 1.51 mikrometru, který je velmi široký s extrémně nízkou propustností. Příprava vertikální optické kavity vede ke vzniku rezonance v pásu při vlnové délce odpovídající přechodu 4I13/2-> 4I15/2 erbia. Byl zkoumán provoz těchto zařízení, přičemž byla ukázána emise koherentního světla při 1.5 mikrometru.	tenké vrstvy; amorfní chalkogenidy; vertikální optické kavity; ionty Er3+
eng	Radio-frequency sputtering fabrication of chalcogenide-based Er3+-doped vertical optical cavities for near-infrared operation	Chalcogenide-oxide Bragg reflectors and a 1-D vertical cavity for operation at 1.55 micrometer were designed and fabricated via radio-frequency sputtering. The Bragg reflectors were made out of repeating layers of Al2O3 and As2Se3, and the cavity was obtained via a Ga5Ge20Sb10S65:Er3+ layer. The layers' properties were assessed via ellipsometry and SEM. Transmission spectroscopy verifies the appearance of a well-defined stop-band around 1.51 micrometer with a very wide bandgap, and extremely low transmission. The vertical optical cavity fabrication results in the appearance of a resonance within the band, at a wavelength corresponding to the 4I13/2-> 4I15/2 transition of erbium. The operation of these devices was investigated, showing coherent light emission at 1.5 micrometer.	thin films; amorphous chalcogenides; vertical optical cavities; Er3+ ions

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte